展会回顾篇

深圳国际电子展暨嵌入式展

8月28日，真茂圳国展为期三天(8月26日-28日)的佳半际电深圳电子展暨嵌入式展在深圳会展中心(福田)圆满落幕，作为电子行业的导体年度大展，elexcon汇聚了全球400+家顶尖技术巨头，亮相探讨从AI芯片、真茂圳国展存算一体、佳半际电RISC-V生态，导体到第三代半导体、亮相绿色能源电子等一系列议题。真茂圳国展

值此初秋之际，佳半际电真茂佳半导体(ZMJSEMI)携中低压MOSFET、导体SiC MOSFET、亮相IGBT系列产品、真茂圳国展封装与解决方案精彩亮相1号馆1C18号展位，佳半际电为现场观众展示了真茂佳的导体车规和工业级产品特性与技术实力，真茂佳展台成为展会上备受瞩目的焦点。

一、 重磅产品，解决方案全解析

本次展会，真茂佳携多款中低压MOSFET、SiC MOSFET和IGBT产品和封装方案亮相，吸引众多客户和同行来到展位现场参观交流。

车规&工规产品

本次展会我们一共带来了13款功率产品，涵盖中低压MOSFET、SiC MOSFET和IGBT系列。

车用电子解决方案

在汽车电子领域，我们展示了车载EPS、水泵、油泵、雨刮、车灯、无线充电、BMS及DC-DC转换等关键应用解决方案。从动力系统到舒适配置，真茂佳芯片为新能源汽车的蓬勃发展提供可靠“芯”动力。

工业控制解决方案

在工业领域，我们的产品广泛应用于储能锂电保护、各类功率主控板及保护板、筋膜枪、鼓风机、吸尘器等场景。以其高可靠性、高效率的特点，助力客户打造更具市场竞争力的终端产品。

先进封装方案

产品的卓越性能离不开先进的封装工艺。本次展会，我们重点展示了包括双面散热封装、双芯半桥封装、顶部散热封装、LFPAK/LFPAKD封装、STOLL封装、DFN8*8封装在内的多种方案，吸引了大量工程师驻足咨询。

二、 现场盛况，人气聚焦 ·

三天展期，真茂佳展台始终人流如织，气氛火热。我们的销售、产品、应用团队，始终以饱满的热情和极高的专业素养，接待来自世界各地的客户与合作伙伴。

三、 感恩相遇，期待再聚

每一次展会都是新的起点。我们珍视与每一位客户、朋友面对面交流的机会，您的每一份认可与建议都是我们前进的动力。展会落幕，服务不歇。如果您在展会期间意犹未尽，或未能亲临现场，欢迎随时通过我们的官方渠道(0755-21006030)联系我们，获取最新产品资料与技术方案!

真茂佳半导体，持续专注功率半导体的设计与开发，与您携手，共创智能未来!

关于真茂佳半导体

真茂佳产品系列

LV/MV MOSFET

真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含RobustFETTM SpeedFETTM和BPFETTM三大系列，击穿电压涵盖-100V~300V，具有高可靠性及出色性能，内阻最低达到0.4mΩ。

其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高、低EMI等优点，目前已有超过20多种封装形式，300多款车规产品，主要应用于热管理(引擎冷却风扇&水泵&油泵)、传统动力系统、底盘(EPS&i-Boost&、ESC&One-Box)、电动化(逆变器&DC-DC&OBC)、车身电子、网联化(T-box等)和智能驾驶&智能座舱等，真茂佳通过器件结构创新和工艺开发，提升功率密度和封装小型化，节省系统空间，增强散热能力，提高器件可靠性。

SiC MOSFET

真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术，并开发出可靠、稳健的SiC供应链，为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。

主打产品为SiC MOSFET，产品电压涵盖 650V~4000V，电阻涵盖15mΩ~1.5Ω，现已量产。

真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产 SiC产品，使其具有优异的FOM特性和高可靠性。产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩、光伏逆变器、储能逆变器、工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。

IGBT

真茂佳有IGBT芯片、成品及模块等，已量产产品电压涵盖650V~1200V，其VCESAT典型值为1.57V和 1.67V。真茂佳IGBT产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达200A/cm2的电流密度等优点。真茂佳根据不达同应用及市场需求开发了系列产品：H系列(高频)、T 系列(最佳性能+低损耗)、S 系列等，为客户提供高质解决方案。

*本文转自公众号真茂佳半导体

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